식각은 건식/습식으로 나뉨. 건식: 특수가스 사용 습식: 에천트(식각액) 사용

식각은 건식 식각(Dry etching)과 습식 식각(Wet etching)으로 나뉜다. 건식 식각은 비등방성의 특징 때문에 정밀한 식각이 필요할 때(미세 패턴 구현) 사용된다. 장비에 식각을 위한 특수가스를 주입한 후 플라즈마, 스퍼터링 등 다양한 방법으로 식각하고자 하는 부분을 제거하는 방식이다. 건식 식각에 주로 사용되는 특수가스를 대응하는 국내업체는 SK specialty, 원익머트리얼즈, 티이엠씨, 한솔케미칼, 후성 등이 있다. 습식 식각은 액체인 에천트(Etchant)를 사용해 식각하는 방식으로 정밀한 식각 보다는 높은 선택비를 통한 많은 양의 식각을 필요로 하는 곳에 사용한다. 에천트 제조업체는 솔브레인, 이엔에프테크놀로지 등이다.

NAND: 높이 쌓는 만큼, 많이 깎아야 한다 

삼성전자와 SK하이닉스가 양산 중인 176단은 더블 스택을 채택하고 있고, 삼성전자는 128단까지 싱글스택을 고수했었다. 싱글 스택이든, 더블 스택이든 결국 3D NAND는 단수를 높이며 저장용량을 증가시키는 방향으로 발전 중이다.

3D NAND 단수 증가가 식각 소재업체들에 미치는 영향은 1) 몇 단이 쌓이든 질화막은 고선택비 식각액으로 제거해 주어야 하고, 2) 높아진 NAND 높이를 홀에칭해 줄 특수가스(Xe) 수요가 증가한다는 것이다

질화막 식각에 사용되는 고선택비 인산계 에천트는 솔브레인이 삼성전자와 SK하이닉스에 독점적 지위로 공급 중이기 때문에 지속적인 수혜를 예상한다. 92단 이상 부터는 기존에 사용하던 CF 계열의 특수가스로는 에칭 홀 형성이 어려워 Xe(제논) 가스가 주로 사용되고 있고, 원익머트리얼즈와 티이엠씨가 고객사에 공급 중이다.

GAA 공정은 Si / SiGe의 순차적 증착 및 SiGe 제거 필요

삼성전자가 3nm부터 도입할 GAA(Gate-All-Around) 구조 트랜지스터는 Si,SiGe를 순차적으로 Epitaxial 방식으로 적층하는게 첫번째 공정이다. 이후 산화막(더미 게이트)를 증착시키고 더미 게이트를 제외한 나머지 부분을 건식식각해 준다. 이후 소스와 드레인 형성을 위한 폴리실리콘을 증착해주고, 더미 게이트를 제거한 후 SiGe를 선택적으로 식각해 제거해 준다.

SiGe 증착 소재, 식각 소재 업체들의 수혜 예상 솔브레인의 수혜 폭 클 것

GAA와 FinFET 공정은 결국 Si/SiGe를 Epitaxial 방식으로 적층 해주는지의 여부에서부터 차이가 난다. Epitaxial이란 단결정 격자 상태인 웨이퍼 위에 동일하게 격자 형태로 물질을 성장시키는 것을 의미한다. SiGe층 증착을 위한 프리커서/특수가스를 제조할 수 있는 한솔케미칼, 원익머트리얼즈, 오션브릿지 등의 수혜가 기대된다. SiGe층 식각은 건식 식각과, 습식 식각 모두 다 가능하나 건식 식각의 에칭 속도와 선택비 한계로 초산계(아세트산) 에천트가 사용될 것으로 예상되며 솔브레인과 한솔케미칼의 수혜를 예상한다. SiGe 식각은 아세트산(CH3COOH), 과산화수소(H2O2), 불화수소(HF)를 섞은 에천트를 사용할 것이기 때문이다.

CVD, ALD 장비에 사용된 소재 종류에 따라 절연막(Dielectric), 금속막(전도층)을 형성할 수 있다. 반도체의 절연막으로는 산화막(SiO2)이 주로 사용되는데 형성 방법과 막질의 특성에 따라 다른 프리커서/특수가스가 사용된다. 절연막은 하고자 하는 역할은 비슷하나 사용되는 곳의 특성에 따라 물성, 명칭이 다르다. 웨이퍼 소자 간의 절연 기능을 하는 절연막을 STI(Shallow Trench Isolation), 소자 층 위에 형성된 절연막을 ILD(Inter Layer Dielectrics), 그 위의 금속배선층간의 절연 기능을 하는 절연막을 IMD(Inter Metal Dielectrics)라고 한다.

STI/ILD/IMD에 사용되는 절연막 형성을 위해 TEOS, SiH4, OMCTS 등의 프리커서가 사용된다.

게이트 절연막: 미세화에 따른 Higk-K가 필수 

게이트 절연막은 게이트에 전압이 걸리게 되면 절연막과 접촉하는 웨이퍼에 전하를 응집해주어 소스와 드레인 사이에 전하의 이동 통로인 채널을 만들어 주는 역할을 한다. 절연막이 얼마나 많은 전하를 응집할 수 있는지가 바로 반도체 성능을 결정짓는 요인 중 하나인 정전용량(Capacitance)이다. 또한 절연막은 전하가 새는 현상인 누설전류를 막는 역할을 한다. 누설전류가 많다는 것은 그만큼 칩의 전력 효율성이 떨어진다는 것이다.

높은 정전용량 확보를 위해서는 세가지 조건이 필요하다. 정전용량 공식에 따라 

1) 절연막의 면적이 넓거나 

2) 절연막의 두께가 얇거나 

3) 절연막의 유전율값 K가 높을수록 정전용량이 높아진다. 

선폭 미세화는 채널 길이의 짧아짐을 의미하기 때문에 게이트와 웨이퍼의 접촉면에 형성된 절연막의 접촉 면적도 줄어들 수밖에 없다. 또한 절연막의 두께도 이미 충분히 얇아졌기 때문에 정전용량을 높이기 위해서는 결국 유전율을 높여야 한다.

인텔은 2007년 45nm 제품부터 HKMG 구조 적용을 발표했다. 테크 노드 미세화가 계속됨에 따라 정전용량을 높이면서 누설전류를 줄이는데 한계에 봉착했기 때문이다. 당시 인텔은 HKMG는 기존 SiO2 절연막 대비해서 정전용량이 60%우수하고 누설 전류를 100배 줄이는 효과가 있다고 발표했다

현재 45nm 이하의 트랜지스터 게이터 절연막은 High-K, 그 중에서도 하프늄이 많이 사용되고 있으며 TDMAHf, HfCl4 등 다양한 프리커서가 사용되고 있다. 삼성전자향 게이트 절연막용 하프늄 프리커서는 현재 아데카가 독점적 지위로 공급 중인 것으로 파악된다.

DRAM : Capacitor 하프늄, Peri HKMG 적용, 멀티패터닝용 희생막 EUV 영향 

DRAM Capacitor 절연막용 High-K 물질은 ZrO2(지르코늄)이 주로 사용됐었고, 디엔에프, 레이크머티리얼즈 등이 고객사에 공급 중이다. 한솔케미칼, 솔브레인도 High-K 제품 라인업은 갖췄다. Capacitor 절연막용 High-K 프리커서는 지르코늄과 함께 이제는 하프늄도 같이 사용되고 있다. 테크 노드 미세화로 인해 capacitor가 얇아져 유전율을 더 높일 필요가 있었기 때문이다.

SK하이닉스는 1Znm 부터 Capacitor 절연막용 High-K에 지르코늄과 함께 하프늄을 적용한 것으로 추정되며, 향후 1a, 1b로 넘어가고 선단공정의 비중이 늘어남에 따라 하프늄 프리커서 사용량이 가파르게 늘어날 것이다. SK하이닉스향 하프늄 프리커서는 레이크머티리얼즈가 SK트리켐을 통해서 납품 중이며, 레이크머티리얼즈의 Capacitor향 하프늄 시장 확대 수혜를 예상한다.

DRAM 멀티패터닝용 희생막 수요는 단기간에 급감하진 않을 것

DIPAS, DIMAS 등은 멀티패터닝용 희생막으로 사용되는 프리커서다. 이론적으로는 DRAM의 모든 노광 공정을 EUV로 대체한다면 멀티패터닝용 희생막이 필요없지만 당장은 쉽지 않다. DRAM 공정이 진행되면서 1개 layer에 뭐가 적합한지에 대해 검증이 돼야만 EUV를 도입하는 것인데, 지금도 삼성전자는 5개 Layer, SK하이닉스는 1개 Layer 정도에 EUV를 사용하는 것으로 파악된다. 멀티패터닝용 프리커서는 한솔케미칼, 디엔에프 등이 고객사에 공급 중이다

따라서 멀티패터닝 희생막용 프리커서 시장은 향후 DRAM 노광공정에 EUV를 얼마나 적용 하느냐에 따른 잠식 정도, 그리고 DRAM 출하가 얼마나 많이 되느냐가 성장률을 좌우할 것이다

3D NAND에 사용되는프리커서 제조업체 모두의 수혜 예상

3D NAND의 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 형성을 위한 프리커서로 HCDS,SiH4 등이 사용되고 있으며, NAND용 High-K에는 Al2O3가 사용되고 있다. HCDS는 덕산테코피아, 디엔에프, 한솔케미칼, 오션브릿지 등이 제조하고 있다. 3D NAND의 Gap-fill에 주로 사용되는 TriDMAS는 한솔케미칼, 레이크머티리얼즈 등이 제조하고 있다. Al2O3 형성을 위한 TMA는 레이크머티리얼즈, 오션브릿지 등이 제조하고 있다.

3D NAND 증착 공정에 사용되는 프리커서를 제조하는 업체들은 NAND 단수 증가에 따른 사용량(Q) 증가로 지속적인 매출 성장이 예상된다. 삼성전자는 현재 7세대 V NAND(176단) 양산을 시작했고, 2024년(8세대) 280단대를 거쳐 2025년(9세대)에는 300단을 건너뛰고 400단대를 양산할 가능성도 있다

저궤도 위성 등 민간 상업용 위성 수가 큰 폭으로 증가 추세 

국가별 위성 보유 수에 있어서도 미국이 약 2,800개 (실제 가동 위성 기준)로 독보적인 1위를 기록 중이며, 중국도 4년새 보유 위성수가 2배 이상 증가하며 위성 산업화에 본격적인 시동을 걸고 있다. 2021년에만 총 1,849기의 위성이 발사되었는데, 이는 민간 상업용 위성 수가 큰 폭으로 증가한 것이 가장 큰 요인으로 파악된다. 발사된 위성의 80% 이상은 상업용 통신 및 방송 위성용 위성으로 향후 3년 간 저궤도 위성통신 기반 위성 발사 수는 지속적으로 확대될 전망이다.

​초고속, 초공간 통신 서비스 제공을 위한 저궤도 위성의 역할 확대 

미래 모빌리티 산업으로 기대를 모으고 있는 UAM, 자율주행 자동차, 자율주행 선박 및 스마트팩토리 등의 완벽한 기술 구현과 더불어 안전성을 높이기 위해서는 네트워크, 지상 관제 시스템 및 사용자 간에 대규모 데이터가 지속적으로 빠르게 전송이 이루어져야 한다. 결국 공중 – 해상 – 지상을 이어줄 수 있는 초고속, 초공간 통신 서비스 제공에 저궤도 위성의 역할이 확대될 수밖에 없다. 

저궤도 위성통신의 전송속도 (업로드, 다운로드 포함)는 매년 증가하는 추이를 나타내고 있으며 지연율은 지속적으로 낮아지고 있다. 다만 최근에 들어서 Starlink의 속도가 떨어지고 있는데 이는 사용자의 증가로 인한 Heavy 트래픽이 증가가 요인인 것으로 판단된다. 이는 결국 위성통신 사용자 수가 증가하고 있음을 방증하는 지표이며, 추가 저궤도 위성 발사를 통해 향후 전송 속도는 Fixed broad에 근접할 수준까지 증가할 것으로 예상된다. 

더욱이 저궤도 위성통신은 송수신 설비의 소형화가 가능하기 때문에 자동차, 선박, 항공기, 가정용 등에 탑재가 용이하여 신규 서비스 비즈니스 창출이 이루어질 것이다. 저궤도 위성통신을 통해 기존 통신 체계가 지닌 가장 큰 문제점인 음영 지역을 해소하여 산업의 혁신을 가져올 수 있는 초고속, 초연결, 저지연 네트워크가 본격적으로 현실화 되는 시점에 놓여있다. 

반도체 소자 업체들은 HKMG에서 메탈 게이트의 낮은 융점을 해결하기 위해서 더미게이트를 생성하는 방법을 고안해냈다. 메탈게이트의 자리에 폴리실리콘으로 형성된 더미게이트를 채워 넣고 열처리 공정이 끝난 후 더미게이트를 식각하여 메탈게이트를 채워 넣는 방식이다. 이러한 방법을 RMG(Replacement Metal Gate) 또는 Gate Last라고 부른다. RMG는 증착, 식각, CMP, 세정 공정이 더 추가되기 때문에 공정 Step 수 증가에 기인한다.

반도체 소자 업체들이 High-k 유전막을 도입하면서 원자 단위의 두께로 증착 가능한 ALD(Atomic Layer Deposition)에 대한 수요도 증가했다. 기존 SiO2 유전막의 경우 실리콘을 산화시키면 됐지만 High-k절연막의 경우 두께를 최소화하기 위해 ALD로 증착해야 했기 때문이다. 2021년 기준 ALD 장비 시장 규모는 약 27억달러 수준에 달하며 ALD 장비를 생산할 수 있는 국내 업체는 원익IPS, 주성엔지니어링, 유진테크 등이 있다.

채널 길이 단축 및 게이트 폭 증가 -> MOSFET 구조 변화 촉진 

트랜지스터 Drain과 Source 사이에 전하가 움직이는 영역을 채널이라고 한다. 채널이 짧으면 짧을수록 전하가 이동할 거리도 짧아지기 때문에 트랜지스터의 성능이 향상되는 효과가 나타난다. 다만 채널의 길이가 과도하게 짧아지면서 SCE(Short Channel Effect) 현상이 발생하기 시작했다. SCE의 대표적인 예로는 Punch Through와 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) 등이 있다. 

High-k, SiGe 전구체 수요 증가할 전망 

High-k 소재가 비메모리에 이어 DRAM까지 채택되면서 High-k 유전막과 게이트 전구체 수요는 꾸준히 증가할 것으로 전망된다. 비메모리용 High-k 물질로는 Zr계열 소자가 주로 쓰였으나 최근에는 Hf 기반 High-k 물질이 각광 받고 있다. 반도체 전구체는 특허 문제로 인해 같은 계열의 전구체라도 업체마다 적용되는 공정과 첨가되는 물질이 상이하다. 현재는 Hf 기반에 다른 첨가제를 추가하거나 Hf을 대체할 수 있는 Al, Ta, STO, BST 등의 새로운 물질을 찾는 방향의 개발이 이루어지고 있다. DRAM Capacitor용 High-k 유전막은 ZAZ(ZrO2, Al2O3, ZrO2)구조가 채택되어 왔지만 10nm 이하 공정부터 ZrO2가 결정화되기 어려워지면서 새로운 유전막으로 ZAT (ZrO2 / Al2O3 / TiO2) 소재가 적용될 수 있을 것으로 예상된다. 국내 High-k 전구체 업체로는 디엔에프와 레이크머티리얼즈, 메카로 등이 있다. 

삼성전자가 GAAFET구조의 채널을 형성하기 위한 보조막으로 SiGe를 선택하면서 Ge 전구체 수요가 증가할 것으로 예상된다. 기존 트랜지스터의 drain과 sourse 부분에 성장되는 SiGe와 달리 GAAFET에서는 3~4개의 레이어를 형성해야 하기 때문에 사용되는 양이 더 많을 것으로 추측된다. 다만 현재 파운드리 업체 중 삼성전자만이 유일하게 3nm GAAFET 반도체를 양산하였으며, 수율도 높지 않아 단기적인 수요 증가는 기대하기 어렵다. 삼성전자의 GAAFET 수율 개선, Intel과 TSMC가 GAAFET 구조를 채택하는 시점부터 Ge 전구체 수요가 점진적인 성장을 보여줄 것으로 예상된다. 국내 Ge 전구체 생산 가능한 업체로는 레이크머티리얼즈, 원익머티리얼즈, 오션브릿지가 있다. 

(NDRC) 중국 국가발전개혁위원회(NDRC)는 2030년에 중국 천연가스 수요가 450~500Bcm에 달하여 중국 총에너지 수요에서 약 15%를 차지할 것이라고 발표함

(CPCIF) 중국석유·화학연맹(China Petroleum and Chemical Industry Federation,CPCIF)은 2023년 천연가스 수요가 점차 회복되어 전년 대비 5% 증가할 것으로 전망함.

(스촹에너지) 중국 자문기관 스촹에너지는 2023년 중국 GDP 성장률이 약 5%,글로벌 국제 유가가 배럴당 80~90달러, 그리고 포스트 코로나 시대를 맞아 천연가스 수요도 회복될 것으로 전망함

(Sinopec) 중국 Sinopec 경제기술연구원의 ‘중국 에너지 전망 2060’에 따르면 2040년 천연가스 수요는 615.5Bcm으로 피크에 도달할 것이라고 전망함.

NAVER의 비교우위는 D2C 및 C2C 영역에 있음. 

1) 검색광고와 D2C를 중심으로 한 국내광고 & 커머스 이익 창출력을 성장을 기반으로, 

2) 2023년 C2C(KREAM, Poshmark) 매출이 크게 증가해 커머스 매출 중 약 20% 비중을 점할 것으로 예상. KREAM은 지속적인 수수료의 대폭 인상(전년비 3.1배)와 거래액 성장(YoY +71.4%) 효과가 동시에 이루어지는 국면으로 2023년 2,276억원(YoY +438%)의 매출 창출을 예상하며, Poshmark는 극히 보수적으로 가정해도(2022년 매출 3.59억 달러) 2,100억원의 연결 매출 기여가 가능할 것으로 추정

- 이커머스 시장의 점유율은 2022년 기준 점유율은 쿠팡 24.5%, 네이버 23.3%, 쓱닷컴+지마켓 11.5%로 확실한 3강체제로 굳혀지고 있다.

- 2022년 온라인 쇼핑 이용자 1,800명을 대상으로 한 설문조사에서 로켓와우(39.9%), 네이버 플러스멤버십(26.7%), 스마일클럽(19.3%)의 이용률이 높게 나타났으며 그 외의 멤버십은 이용률이 미미하게 나타났다

상위사업자 수익성 개선의 시기 

온라인쇼핑 시장 성장이 둔화되고 있음에도 불구하고, 각 분야에서 일정 이상의 시장 지배력을 확보하며 과점 사업자로 등극한 이커머스 업체들은 높아진 가격결정력을 바탕으로 본격적인 수익화 구간에 진입한 것으로 판단한다.

네이버의 ‘도착보장’은 D2C 판매 채널인 ‘브랜드스토어’에 대한 머천트솔루션의 일환으로, 주문 데이터, 물류사 재고, 택배사 배송 등 다양한 데이터를 분석해 사용자에게 높은 정확도의 도착일을 보장한다. 현재는 해당 프로그램의 베타 기간으로 수수료 없이 신청 및 이용이 가능하지만, 1) 도착보장 서비스의 프로모션 기간 종료 후에는 기본 중개/판매 수수료 외의 추가적인 수수료가 부과되어 take rate 향상에 기여할 것으로 판단한다.

네이버는 도착보장 외에도 2) 1Q23부터 ‘패션타운’에 대해 스마트스토어 수준의 수수료(약3%)를 부과중으로, 이는 거래액 대비 매출 전환율을 상향할 것으로 예상한다. 기존 오프라인 백화점, 아울렛, 스트릿 매장을 통해 많이 구매되던 브랜드 셀러를 대상으로 PC 기반에서 무과금으로 운영되던 ‘쇼핑윈도우’는 디스커버리 기반의 큐레이션 개선과 함께 모바일 과금 채널인 ‘패션타운’으로 개편(1Q23)되었다. 해당 개편은 네이버 커머스 부문 중 중개/판매 매출의10% 정도 업사이드 효과가 있을 것으로 예상한다.

1. 네이버의 장기 글로벌 전략: 크로스보더 C2C 플랜 

1) D2C(=Owned Media) 서비스인 브랜드스토어를 통한 커머스 GMV와 take rate의 향상, 

2) 수수료를 부과하지 않았던 패션타운, 렌탈구독 서비스 등의 수익화, 3) 예약/주문 등 서비스 거래액의 본격적인 매출 반영과 동시에 4) 개인과 개인간의 직접 거래를 중개하는 글로벌 플랫폼을 구축하는 것이 목표다.

2020년 1월 크림의 설립을 시작으로 한국, 일본, 싱가포르, 스페인, 프랑스, 미국, 말레이시아,인도네시아 등 각국의 주요 패션 C2C 플랫폼을 확보하였다.

1) 한정판 스니커즈 등 럭셔리 영역에서는 희소가치가 높은 물품의 거래가 가능하고, 한편으로는 

2) 고가의 물품을 상대적으로 저렴한 중고가에 구매할 수 있다는 이유로 밀레니얼과 Z세대의 이용률이 높다. 이러한 이유로 글로벌 중고 의류 시장은(CAGR +16%) 전체 의류시장 (CAGR +5%)보다 빠르게 성장하여, 2026년에는 전체 시장의 13% 비중으로 확대될 것으로 전망한다

2 2023년 크림 매출 고성장 전망: 2,276억원(YoY +438%) 전망 

12월 10%까지 수수료 인상, 연간 GMV YoY +71.4%(2022년 GMV YoY +143% 추정)를 가정시 2023년 크림 매출은 2,276억원으로 YoY +438% 성장할 것으로 전망한다

솔드아웃(무신사)와 국내 리셀 시장을 양분하고 있는 리셀 플랫폼 크림(KREAM)은 과점적지위를 바탕으로, 매출 증진을 통한 수익성 개선을 위해 수수료 인상을 지속하고 있다. 2022년 4월 판매수수료 1%를 수취하기 시작한 이후 2023년 4월까지 8차례 판매 및 구매수수료 인상(2023년 4월 7%)을 진행했다. 운동화 리셀 사업을 영위하는 글로벌 피어 StockX의 경우 (판매수수료 8~10% + 구매수수료 3~5%)를 수취하고 있기 때문에 추가적인 인상 여력이 남아있는 것으로 판단한다

3. Poshmark: 신규 수입원 창출과 마케팅 효율화에 따른 수익성 개선 전망 

2023년 Poshmark 매출 3.95억 달러(YoY +9.9%), 조정 EBITDA 1.2백만 달러(YoY 흑자전환) 수준이 전망된다(Bloomberg 컨센서스 기준). 네이버가 Poshmark를 인수한 이후 

1) 신규 이용자의 유치와 관련된 과도한 대외 마케팅 활동 감소, 

2) Poshmark 내에서의 타겟팅강화를 통한 마케팅 비용 효율화가 진행중이다. 탑라인 측면에서는 글로벌 경기 성장 둔화에도 불구, 

3) 검색광고 등 광고상품 도입을 통한 신규 수입원 창출과 

4) 라이브커머스 등 신규 커머스 솔루션 활용 및 포쉬렌즈 도입에 따른 커뮤니티 활성화로 거래액 신장으로 매출의 지속성장이 가능할 것으로 예상한다.

1Q23 네이버 연결실적에 편입될 Poshmark는 북미 중고거래 C2C 플랫폼 중 가장 우수한 수익성과 현금창출력을 보이나, 

1) 미국 의류소비 성장의 둔화에 따른 매출 성장 둔화(Bloomberg 가이던스 기준 YoY +10%)와 

2) iOS 및 안드로이드 개인정보 수집 정책의 변화에 따른 마케팅 효율의 감소 영향을 받았다

북미 C2C 중고 플랫폼 중 위탁 판매 모델을 취하고 있는 ‘thredUP’이나 ‘TheRealReal’에 비해서 Poshmark는 패션 인플루언서를 중심으로 한 커뮤니티로서의 성격이 두드러져 인스타그램과 유사한 플랫폼이다. 이와 같은 커뮤니티적 성격으로 구매자가 판매자로, 다시 판매자가 구매자로 전환되는 특수한 리텐션이 자연스럽게 이루어지게 된다. 적절한커머스 솔루션이 적용되었을 때 Poshmark가 인위적인 외부마케팅을 줄이면서도 트래픽 및 거래 활성화를 유도할 수 있는 이유다.

네이버 컨텐츠: 확연해진 수익화 기조 

연간 네이버웹툰 GMV는 1.74조원(YoY +3.7%)로 보수적으로 가정하나, 해외 결제 비중 증가에 따른 글로벌 매출전환율 증가에 따라 네이버웹툰 매출

은 1.48조(YoY +39.1%)를 기록할 수 있을 것으로 기대한다

컨텐츠 부문의 전략 변화는 페이포인트의 최적화와 동시에 마케팅비용의 효율적 집행을 이끌고 있으며, 실제로 4Q22 매출 대비 마케팅비용은 14.2%를 기록했다. 따라서 Poshmark 인식 효과를 감안하더라도 2023년 매출 대비 마케팅 비용은 2022년과 동일한 15.8%로 유지 가능할 것으로 추정한다

핀테크: 온라인 가맹점 확장 지속 + 삼성페이 제휴로 성장 지속 

2023년 네이버 핀테크 부문 결제액은 59.5조원(YoY +22%), 매출은 1조 4,295억원(YoY+20.5%)를 기록할 것으로 전망한다. 국내 네이버커머스 GMV(YoY +14.9%) 성장을 기반으로 외부 가맹점을 지속 확대해 나갈 것으로 예상한다. 4Q22에 왓차, 티머니 등 대형 가맹점을 확보했듯, 온라인 영역에서 신규 가맹점을 지속 확대해 나갈 것으로 예상한다.

오프라인 영역에서는 삼성페이와의 연계를 통한 실질적인 가맹점 확장 효과가 긍정적으로 작용할 것으로 기대한다.

삼성페이는 거의 모든 오프라인 카드 가맹점에서 활용 가능한 MST 기반 서비스로, 온라인 상에서 적립된 네이버페이의 포인트의 사용처가 POS기가 설치되지 않은 네이버페이 가맹점으로도 확장된다. 따라서 1) 멤버십 락인 효과의 강화, 2) 오프라인 결제액의 증가가 가능할 것으로 기대한다.

한편 2023년은 네이버파이낸셜의 결제 외 금융서비스로의 확장이 이루어지는 해이다. 4Q22론칭한 개인 신용대출 비교 서비스는 출시 초기임에도 불구하고 업계 4위 수준으로 안착하며 높은 성장 가능성을 보이고 있다. 장기적으로 광고, 대출, 중개 비교 등 고마진 서비스 매출 비중 확대를 통해 수익성 개선에 기여할 것으로 전망한다.

반도체의 생각보다 빠른, 강한 반등 예상 근거 

1) 이미 훼손된 제조업 PMI 

현 시점에서 추가적인 하방은 크지 않으며 이전대비 50pt 아래에서 오랜 기간 눌려있는 양상이 진행되고 있는 만큼 반등 폭발력 역시 클 수 있다. 주가 저점은 지속 우상향 추이를 보일 가능성이 높다. 단순 계산이기는 하지만 과거 ISM 제조업 지수가 50pt를 하회하고 Up-Cycle 진입까지의 기간이 가장 길었던 245일(15~16 Cycle)을 이번 Cycle에 동일하게 적용시, 반등 예상 시점은 23년 6월로 계산된다. 현 시점에서 당사가 예상하는 3Q23~4Q23의 반등 전망은 크게 무리한 가정은 아닐 수 있다

2) IT 세트, 추세선 이탈도 완화 & 정상화 근접 중 

코로나19 이후 PC, 모바일, 서버 등의 수요는 각 세트별 최근 3~5개년 성장률 추세를 크게 이탈했다. 이후 고통스런 수요 둔화 여파를 겪고 있으나 긍정적인점은 추세 이탈도가 크게 완화됐다는 점이다. 세트별로 약간의 차이는 있으나 기존 추세에 근접해 가고 있다. 매크로 바닥보다 앞선 반등, 그리고 향후 매크로바닥 확인 국면에서 예상보다 강한 반도체 반등이 가능할 수 있는 기반이다.

3) 하반기, 생산업체들의 공급 축소 효과 발생하기 시작하는 시점 

생산업체들의 공급 축소 효과는 1Q23부터 발생하기 시작했다. 2H23, 1H24로 갈수록 관련 효과는 점진적으로 확대될 예정이다. 매크로 바닥의 지연이 있더라도 공급 축소 효과를 감안할 때 반도체 업황의 급격한 악화는 가능성이 낮다.

반도체 소자 업체들과 주요 빅테크 업체들의 2023년 CAPEX 감소가 예상되는 상황 속에서 반도체 소재/부품/장비 업체들의 좋은 실적을 기대하기는 어려울 것이다. 다만 향후 DDR5 침투율 확대, NAND 적층수 증가, GAAFET 구조 채용 등이 예상됨에 따라 선단 공정의 수혜를 받는 일부 소재/부품/장비 업체들의 실적은 양호할 가능성이 높을 것이다. 또한 고객사 재고 조정이 완료될 것으로 예상되는 4Q23부터 반도체 업황이 개선될 것이기 때문에 2024년부터 반도체 소재/부품/장비 업체들의 실적도 추세적 반등을 보여줄 것으로 전망된다. 

그렇다면 매크로 환경이 불확실한 2023년에도 주당가치가 상승할 수 있는 모멘텀은 어떤 것들이 있을까? 

① 증착: Si/SiGe 박막, High-k 유전막 증착을 위한 전구체 및 장비, 

② 노광: EUV 채용 본격화에 따른 블랭크마스크와 펠리클, 

③ 식각: 플라즈마 노출도, 농도 증가에 따른 쿼츠 및 SiC 부품, 원가 절감을 위한 코팅 및 세정, Si/SiGe층 선택적 식각을 위한 식각액 

④ 확산/열처리 공정: 고유전율 절연막의 계면 전하 특성 개선을 위한 저온 어닐링 장비, 

⑤ 테스트/검사 공정: 고성능 검사 장비 및 테스트용 부품 등의 수요가 증가할 전망이다. 

공정별 수혜 가능 영역 살펴보기 

2023년 반도체 소자 업체들의 CAPEX가 대폭 하향되면서 반도체 소재/부품/장비 업체들의 실적에 대한 눈높이도 낮아졌다. 다만 당사는 선단공정용 제품을 생산하는 업체 또는 최근 소재/부품/장비를 국산화에 성공해 점유율이 빠르게 증가하고 있는 업체들의 경우 2023년도 실적 개선이 가능할 것으로 전망하는 바 HPSP, 파크시스템스, 에스앤에스텍, 피에스케이, 넥스틴, 비씨엔씨에 주목할 필요가 있다고 판단한다. 

① HPSP: High-K유전막을 사용하면 실리콘과 유전막 계면 특성이 저하되는 문제가 발생하기 때문에 고압 수소(100% H2) 어닐링 장비로 계면을 치유해야한다. 또한 기존 비메모리 반도체에 쓰였던 High-K 유전막이 메모리 반도체로 확산되고 있어 때문에 고압 수소 어닐링 장비를 독점하고 있는 HPSP가 높은 성장세를 보여줄 것으로 전망된다.

② 파크시스템스: 반도체 소자의 집적도는 무어의 법칙에 따라 2년마다 2배씩 늘어나고 있다. 최신 비메모리 반도체는 3nm까지 양산에 성공했고 2024년부터 2nm 반도체가 양산될 예정이다. 이에 따라 0.1nm 이하까지 검사할 수 있는 파크시스템의 원자현미경 수요도 가파르게 증가할 것으로 전망된다.

③ 에스앤에스텍: 반도체 회로 선폭이 미세화되면서 EUV 장비 시장이 점진적으로 개화되고 있다. 반면 EUV 장비에서 사용되는 블랭크마스크와 펠리클은 공급이 불안정해 수요가 공급을 초과하고 있는 상황이다. 당사는 EUV용 블랭크마스크와 펠리클 양산을 준비하고 있는 에스앤에스텍에 주목할 필요가 있다고 판단한다.

④ 피에스케이: 2023년 주요 반도체 소자 업체들의 생산 증가율이 하락하면서 동사의 감익이 예상된다. 다만 당사는 동사가 국산화율이 낮은 건식 식각 장비를 개발하고 있으며, 외국 업체가 독점하고 있던 Bevel Etcher 양산에 성공하는 등 신규 장비 개발로 인한 실적 상승 포텐셜이 크다고 판단되는 바 장기적인 관점에서 투자할 것을 추천한다.

⑤ 넥스틴: 동사는 기존 KLA가 독점하고 있던 웨이퍼 패턴 검사 장비를 국산화 하였으며 글로벌 점유율은 5~6%로 미미한 수준일 것으로 추정된다. 동사 장비 가격은 경쟁사 장비의 1/3 수준으로 높은 가격 경쟁력을 가지고 있고 가격 경쟁력을 기반으로 빠르게 고객사 내 침투율이 증가할 것으로 전망된다.

⑥ 비씨엔씨: 최근 3D NAND의 적층수가 200단 이상으로 높아지면서 NAND의 윗 부분부터 아래까지 한번에 식각하기 위해 플라즈마 파워가 높아지고 있다. 또한 반도체 공정 Step 수도 증가하면서 플라즈마 노출 빈도도 높아지고 있어 식각 부품이 빨리 마모된다는 문제가 발생했다. 당사는 기존 식각에서 사용되던 천연 쿼츠 포커스링보다 높은 수명과 플라즈마 내성을 가진 합성쿼츠의 수요가 증가할 것으로 전망하는 바 비씨엔씨의 성장성에 주목할 필요가 있다고 판단한다.