→ 증착 장비: 고단화 될수록 하중이 커지면서 하부층이 휘어질 수 있다. 또한 두께가 높아 위아래 높이가 높아지면 전력 소모 역시 크게 발생한다. 그래서 막의 두께를 얇게하고 전체 높이를 최소화할 필요가 있다. 얇고 균일하게 증착할 수 있는 ALD 사용 비중이 늘게된다.

→ 식각 장비: 적층수 고단화로 인한 수혜가 가장 큰 공정이다. NAND 홀(Hole)의 종횡비가 커진다. 에칭해야 하는 깊이가 깊어질수록 고스펙(ASP↑↑) 장비가 필요하다. 또한 Double Stack으로 할 경우, 홀(Hole)에 대한 식각은 2번 필요하다.

→ 세정 장비: 고단화 과정에서 큰 수혜가 확인된다. 한 층의 공정이 끝날 때마다 세정 작업이 필요하다. 단층 수가 확대될수록 세정 공정에 대한 수요가 증가한다. 더불어 홀(Hole)의 종횡비 가 증가하면서 세정 난이도 증가로 습식보다 건식 세정 사용 비중이 증가한다.

→ 증착 장비: 공정 미세화로 DRAM의 캐패시터 등 구조물의 종횡비(Aspect Ratio)가 커진다. 종횡비가 커질수록 미세한 증착이 요구된다. 절연막 두께를 1나노 이하 수준으로 얇게 만들어야 하는데, 이를 위해서 ALD 방식의 증착이 필요하다.

→ 식각 장비: 패턴이 미세화되면서 멀티 패터닝(2회 이상)이 요구된다. 이전 대비 식각 공정의 차지 비중이 증가함에 따라 장비 사용 대수도 증가한다. 또한 정교한 식각을 위해 습식(Wet)식각 보다 건식(Dry) 식각 위주로 전환됐다. 습식 식각은 가로, 세로 방향 모두에 영향을 끼치기 때문에 깊이 뿐 아니라 넓이에도 영향을 미친다. 이는 얇고 깊게 파야하는 미세화 측면에서 적합하지 않다. 반면 건식 식각은 한 방향으로만 영향을 미치기 때문에 습식 방식보다 적합하다.

→ 세정 장비: 멀티 패터닝으로 식각 공정 스텝수가 증가하면, 세정 공정의 스텝수 증가로 이어진다. 더불어 식각과 마찬가지로 습식(화학 용액 사용) 보다 건식(플라즈마 등) 방식으로 전환이 확대 됐다. 구조물의 종횡비가 높아 질수록 화학용액이 깊은 곳까지 닿기 어려워진다. 건식 세정이 유리한 상황이 전개된다.

→ 클린룸 장비: 공정이 미세화 될수록, 공정 중 파티클이 많이 발생하게 된다. 클린룸 장비에 대한 요구 스펙과 대수가 모두 증가한다. 스펙 증가는 ASP 상승효과로 이어진다.

→ 스크러버 장비: 공정 내 발생 온도가 상승 한다. 기존 액화 물질이 기화하면서 유해 가스 발생량이 증가한다. 가스를 정화시키는 장비가 스크러버다. 스크러버가 필요한 공정이 늘어나고 있다. 더불어 ESG 트렌드 확대에 따른 친환경 방식(플라즈마 등)의 장비 수요가 지속적으로 확대될 것으로 예상된다. 이미 주요 생산업체 들은 에칭 공정 내에 플라즈마 스크러버 채택 을 확대시키고 있다.