주요 완성차 업체들은 당장 배터리 기술을 내재화하기 어렵기 때문에 국내 배터리사와의 JV를 통해 안정적 인 공급망을 구축 중이다. 이에 따라 미국 배터리 공급량 중 국내업체의 비중은 2025년 84%에 이를 것으로 전망된다. 향후에도 미국 전기차 침투율이 상승할수록 배터리 공급 부족 도 지속될 것으로 보여 JV를 통한 증설 이 완성차 업체들의 중요 전략이 될 것이며, 이 비중은 80% 안팎 이 유지될 것으로 판단한다.

장비Capex의 30%를구성하는화성공정

- 완성된셀에전기적특성을부여하는화성공정은2차전지장비Capa중30%를차지하고있음. 2022년~2025년까지20조원의시장신규형성이기대됨.

- 조립공정을통해완성된셀을일정한온도및습도下에보관하는Aging공정을거치면가장핵심인Formation 공정을지나게됨. 이공정에서는셀에전기적특성을부여하기위해충방전을반복. 이후파우치형은셀내부가스를제거하는Degassing공정, Folding 공정을거치면최종적으로셀이완성됨.

- 화성공정의특징은Formation 비중이80%로압도적인비중을차지한다는것. 전체2차전지장비Capa기준으로보아도22.3%를차지하는핵심장비.

- 특수 가스의 일종인 네온은 공기 중에 0.00182% 밖에 포함돼 있지 않은 희귀 가스로, 반도체 노광공정에서 사용되는 엑시머 레이저 가스의 원재료 중 하나다.

- 러시아 철강제조 공정의 부산물로 나오는 이 가스는 우크라이나에서 별도 공정을 거쳐 전 세계에 공급되는 구조다. 특히 네온은 반도체 노광 공정에서 전세계 수요의 70%를 차지할 정도로 반도체 생산에 반드시 필요한 핵심 소재로 통한다

- 실제 반도체 노광 공정 용 불화아르곤 액침(ArF-Immersion) 장비에 투입되는 엑시머 레이저는 네온, 불소, 아르곤 등 특수 가스를 혼합해서 제조된다. 혼합물 중 네온이 95% 이상을 차지하고 있어 네온 수급이 원활하지 않을 경우 반도체 생산 공정에도 차질이 빚어진다.

DRAM

- 1T / 1C 구조 (집적도 NAND보다 낮음)

- 1T1C로 구획된 cell을 지정하여 데이터 저장 가능 (random access)

- Transistor에서 흐른 전류를 Capacitor에 저장. 저장된 level를 0과 1로 구분

- 이때 DRAM의 Capacitor는 dielectric 물질인데, 이 물질은 전하를 영구적으로 저장할 수 없음. 따라서, 데이터를 원하는 상태로 유지하기 위해서는 refresh가 필요

→ DRAM은 빠르지만, 휘발성 → 주기억장치

NAND

- 1T 구조 (집적도 높음)

- Random access가 불가능. Block 단위로 Write해야 하며Write 속도 느림 (단,Read 속도는 빠름)

- Capacitor가 아닌 Transistor에 데이터 저장. 따라서 비휘발성 가능

→ NAND는 DRAM보다 느리지만, 비휘발성이고 집적도가 DRAM보다 높음 → 영구기억장치